Name: NTBG060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG060N090SC1TR-ND
Price: 15.25 EUR
Availability: InStock

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NTBG060N090SC1
Codice DigiKey	5556-NTBG060N090SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG060N090SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG060N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG060N090SC1
Descrizione	SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 5,8A (Ta), 44A (Tc) 3,6W (Ta), 211W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4.3V a 5mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 88 nC @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +19V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 450 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 211W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,8A (Ta), 44A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 84mohm a 20A, 15V	Codice componente base NTBG060