Name: NTBG060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG060N090SC1TR-ND
Price: 14.4814 EUR
Availability: InStock

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NTBG060N090SC1
Codice DigiKey	5556-NTBG060N090SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG060N090SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG060N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG060N090SC1
Descrizione	SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 5,8A (Ta), 44A (Tc) 3,6W (Ta), 211W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8A (Ta), 44A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	84mohm a 20A, 15V
Vgs(th) max a Id	4.3V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	88 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1800 pF @ 450 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 211W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK-7
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Codice componente base	NTBG060