Name: NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG060N065SC1TR-ND
Price: 12.7246 EUR
Availability: InStock

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NTBG060N065SC1
Codice DigiKey	5556-NTBG060N065SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NTBG060N065SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NTBG060N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTBG060N065SC1
Descrizione	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 46 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTBG060N065SC1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,3V a 6,5mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1473 pF @ 325 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 46 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 20A, 18V	Codice componente base NTBG060

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In magazzino: 335

Scorte di fabbrica: 4 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 4,67986	€ 3 743,89

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 10,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 12,72460

NTBG060N065SC1