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NTB65N02RT4G è obsoleto e non è più in produzione.
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NTB65N02RT4G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTB65N02RT4GOS-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTB65N02RT4G |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 7,6 A (Tc) 1,04W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTB65N02RT4G Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.5 nC @ 4.5 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1330 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,04W (Ta), 62,5W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 25 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,2mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN4R3-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | 163 | 1727-7116-1-ND | € 1,94000 | Simile |
Obsoleto
Magazzino Marketplace: 4 000 Guarda
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