Canale N 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-220-3

NTB004N10G

Codice DigiKey
488-NTB004N10GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTB004N10GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTB004N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTB004N10G
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTB004N10G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
201A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11900 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
340W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
NTB004
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 625
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,60000€ 5,60
10€ 4,30800€ 43,08
25€ 3,98400€ 99,60
100€ 3,62880€ 362,88
250€ 3,45928€ 864,82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 3,29833€ 2 638,66
1 600€ 3,22466€ 5 159,46
2 400€ 3,18776€ 7 650,62
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,83200
Ti potrebbe anche interessareVedi tutto
2 Articoli
PSMN3R7-100BSEJ

PSMN3R7-100BSEJ

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Nexperia USA Inc.

€ 4,46000
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

€ 5,57000