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NSVB123JPDXV6T1G | |
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Codice DigiKey | NSVB123JPDXV6T1G-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NSVB123JPDXV6T1G |
Descrizione | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA |
Produttore onsemi | Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 500mW |
Stato componente Obsoleto | Grado Automobilistico |
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V | Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666 |
Resistore - Base (R1) 2,2kohm | Contenitore del fornitore SOT-563 |
Resistore - Base emettitore (R2) 4,7kohm | Codice componente base |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 5mA, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| PEMD10,115 | Nexperia USA Inc. | 3 432 | 1727-PEMD10,115CT-ND | € 0,39000 | Diretto |
| PEMD30,115 | Nexperia USA Inc. | 4 000 | 1727-PEMD30,115CT-ND | € 0,42000 | Diretto |


