NSS20201MR6T1G onsemi | Transistor bipolari singoli

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NSS20201MR6T1G
Codice DigiKey	NSS20201MR6T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NSS20201MR6T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSS20201MR6T1G
Descrizione	TRANS NPN 20V 2A 6-TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 20 V 2 A 200MHz 460 mW A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSS20201MR6T1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 a 1A, 5V
Produttore onsemi	Potenza - Max 460 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Frequenza - Transizione 200MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 2 A	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 20 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 150mV a 100mA, 1A	Codice componente base NSS20201
Corrente - Interruzione collettore (max) 100nA

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NSS20201DMTTBG	onsemi	0	488-NSS20201DMTTBGCT-ND	€ 0,92000	Consigliato dal produttore
PBSS4420D,115	Nexperia USA Inc.	0	1727-5757-1-ND	€ 0,72000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,07360

NSS20201MR6T1G