NSBA114EDXV6T5G onsemi | Array di transistor bipolari, pre-polarizzati

NSBA114EDXV6T5G è obsoleto e non è più in produzione.

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NSBA114EDXV6T5G
Codice DigiKey	NSBA114EDXV6T5GOS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSBA114EDXV6T5G
Descrizione	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 35 a 5mA, 10V
Produttore onsemi	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 500mW
Tipo di transistor 2 PNP - pre-polarizzati (doppi)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore del fornitore SOT-563
Resistore - Base (R1) 10kohm	Codice componente base NSBA114
Resistore - Base emettitore (R2) 10kohm

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NSBA114EDXV6T1G	onsemi	107 188	488-NSBA114EDXV6T1GCT-ND	€ 0,32000	Simile
DDA114TH-7	Diodes Incorporated	3 000	DDA114TH-7DICT-ND	€ 0,57000	Diretto
PEMB11,115	Nexperia USA Inc.	4 000	1727-6498-1-ND	€ 0,39000	Diretto
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EMB11T2R	Rohm Semiconductor	21 966	EMB11T2RCT-ND	€ 0,48000	Simile