MOSFET - Array 30V, 25V 14A (Ta), 30A (Ta) 960mW (Ta), 1,04W (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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NTMFD0D9N02P1E

Codice DigiKey
488-NTMFD0D9N02P1ETR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMFD0D9N02P1ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTMFD0D9N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFD0D9N02P1E
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V, 25V 14A (Ta), 30A (Ta) 960mW (Ta), 1,04W (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Asimmetrico a 2 canali N (duale)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V, 25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14A (Ta), 30A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
3mohm a 20A, 10V, 0,72mohm a 41A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 340µA, 2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9nC, 30nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400pF a 15V, 5050pF a 13V
Potenza - Max
960mW (Ta), 1,04W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
Codice componente base
NTMFD0D9
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Quantità
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,37000€ 3,37
10€ 2,21900€ 22,19
100€ 1,56050€ 156,05
500€ 1,27962€ 639,81
1 000€ 1,18941€ 1 189,41
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 1,18333€ 3 549,99
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,37000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,11140