Name: NJVNJD35N04T4G
Brand: onsemi
SKU: NJVNJD35N04T4GOSTR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

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NJVNJD35N04T4G
Codice DigiKey	NJVNJD35N04T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NJVNJD35N04T4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NJVNJD35N04T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NJVNJD35N04T4G
Descrizione	TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 350 V 4 A 90MHz 45 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NJVNJD35N04T4G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max	4 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	350 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	1,5V a 20mA, 2A
Corrente - Interruzione collettore (max)	50µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	2000 a 2A, 2V
Potenza - Max	45 W
Frequenza - Transizione	90MHz
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	DPAK
Codice componente base	NJVNJD35