NGTG35N65FL2WG onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NGTG35N65FL2WG è obsoleto e non è più in produzione.

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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NGTG35N65FL2WG
Codice DigiKey	NGTG35N65FL2WGOS-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NGTG35N65FL2WG
Descrizione	IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Field stop 650 V 70 A 300 W Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NGTG35N65FL2WG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	Field stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	70 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	120 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2V a 15V, 35A
Potenza - Max	300 W
Energia di commutazione	840µJ (on), 280µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	125 nC
Td (on/off) a 25°C	72ns/132ns
Condizione di test	400V, 35A, 10ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-247-3
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Codice componente base	NGTG35