Name: NCV1413BDR2G
Brand: onsemi
SKU: NCV1413BDR2GOSTR-ND
Price: 0.6832 EUR
Availability: InStock

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NCV1413BDR2G
Codice DigiKey	NCV1413BDR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NCV1413BDR2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NCV1413BDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NCV1413BDR2G
Descrizione	TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 7 NPN Darlington 50V 500mA A montaggio superficiale 16-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 1000 a 350mA, 2V
Produttore onsemi	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Grado Automobilistico
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tipo di transistor 7 NPN Darlington	Contenitore/involucro 16-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Collettore (Ic) max 500mA	Contenitore del fornitore 16-SOIC
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Codice componente base NCV1413
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1,6V a 500µA, 350mA

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