Name: NCV1413BDR2G
Brand: onsemi
SKU: NCV1413BDR2GOSTR-ND
Price: 0.671 EUR
Availability: InStock

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NCV1413BDR2G
Codice DigiKey	NCV1413BDR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NCV1413BDR2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NCV1413BDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NCV1413BDR2G
Descrizione	TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 7 NPN Darlington 50V 500mA A montaggio superficiale 16-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	7 NPN Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max	500mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	1,6V a 500µA, 350mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	1000 a 350mA, 2V
Potenza - Max	-
Frequenza - Transizione	-
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	16-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	16-SOIC
Codice componente base	NCV1413

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Nastrato in bobina (TR)