Name: MUN5311DW1T2G
Brand: onsemi
SKU: MUN5311DW1T2GOSTR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

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MUN5311DW1T2G
Codice DigiKey	MUN5311DW1T2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MUN5311DW1T2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MUN5311DW1T2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MUN5311DW1T2G
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MUN5311DW1T2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 35 a 5mA, 10V
Produttore onsemi	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Stato componente Attivo	Potenza - Max 250mW
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistore - Base (R1) 10kohm	Codice componente base MUN5311
Resistore - Base emettitore (R2) 10kohm

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DCX114EUQ-13-F	Diodes Incorporated	0	31-DCX114EUQ-13-FTR-ND	€ 0,04841	Diretto
PUMD3,115	Nexperia USA Inc.	1 579	1727-4330-1-ND	€ 0,17000	Diretto
BCR10PNH6327XTSA1	Infineon Technologies	29	BCR10PNH6327XTSA1CT-ND	€ 0,34000	Aggiornamento
PUMD3,125	Nexperia USA Inc.	884	1727-PUMD3,125CT-ND	€ 0,21000	Aggiornamento
PUMD3,135	Nexperia USA Inc.	6 815	1727-PUMD3,135CT-ND	€ 0,21000	Aggiornamento