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Canale P 60 V 5 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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MTD5P06VT4

Codice DigiKey
MTD5P06VT4OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
MTD5P06VT4
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 5 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
MTD5P06VT4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
450mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
510 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
MTD5P
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