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MMSZ51T1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | MMSZ51T1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | MMSZ51T1 |
Descrizione | DIODE ZENER 51V 500MW SOD123 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 51 V 500 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | MMSZ51T1 Modelli |
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 nA @ 35.7 V |
Produttore | Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 10 mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Potenza - Max 500 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 180 Ohms |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MMSZ51T1G | onsemi | 8 636 | 488-MMSZ51T1GCT-ND | € 0,19000 | Diretto |
| BZT52B51-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 13 896 | 112-BZT52B51-E3-08CT-ND | € 0,39000 | Simile |
| BZT52B51-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B51-E3-18-ND | € 0,06673 | Simile |
| BZT52B51-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B51-G3-08-ND | € 0,05105 | Simile |
| BZT52B51-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B51-G3-18-ND | € 0,05385 | Simile |





