Name: MMBT6427LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT6427LT1GOSTR-ND
Price: 0.183 EUR
Availability: InStock

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MMBT6427LT1G
Codice DigiKey	MMBT6427LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MMBT6427LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MMBT6427LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBT6427LT1G
Descrizione	TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 40 V 500 mA 225 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBT6427LT1G Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA
Produttore onsemi	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 20000 a 100mA, 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 225 mW
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN - Darlington	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 500 mA	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 40 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1,5V a 500µA, 500mA	Codice componente base MMBT6427