Name: MJD5731T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD5731T4GOSTR-ND
Price: 1.22 EUR
Availability: InStock

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MJD5731T4G
Codice DigiKey	MJD5731T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MJD5731T4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MJD5731T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MJD5731T4G
Descrizione	TRANS PNP 350V 1A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 350 V 1 A 10MHz 1.56 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 30 a 300mA, 10V
Produttore onsemi	Potenza - Max 1.56 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 10MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor PNP	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 1 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 350 V	Contenitore del fornitore DPAK
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 1V a 200mA, 1A	Codice componente base MJD5731
Corrente - Interruzione collettore (max) 100µA