Name: MJD112T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD112T4GOSTR-ND
Price: 1.098 EUR
Availability: InStock

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MJD112T4G
Codice DigiKey	MJD112T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MJD112T4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MJD112T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MJD112T4G
Descrizione	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MJD112T4G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max	2 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	3V a 40mA, 4A
Corrente - Interruzione collettore (max)	20µA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	1000 a 2A, 3V
Potenza - Max	20 W
Frequenza - Transizione	25MHz
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	DPAK
Codice componente base	MJD112

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)