Name: MJD112T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD112T4GOSTR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

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MJD112T4G
Codice DigiKey	MJD112T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MJD112T4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MJD112T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MJD112T4G
Descrizione	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MJD112T4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 1000 a 2A, 3V
Produttore onsemi	Potenza - Max 20 W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 25MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN - Darlington	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 2 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 100 V	Contenitore del fornitore DPAK
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 3V a 40mA, 4A	Codice componente base MJD112
Corrente - Interruzione collettore (max) 20µA