Name: MGSF2N02ELT1G
Brand: onsemi
SKU: MGSF2N02ELT1GOSTR-ND
Price: 0.5734 EUR
Availability: InStock

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MGSF2N02ELT1G
Codice DigiKey	MGSF2N02ELT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MGSF2N02ELT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MGSF2N02ELT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MGSF2N02ELT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,8 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MGSF2N02ELT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	85mohm a 3,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.5 nC @ 4 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	MGSF2

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Nastrato in bobina (TR)