MOSFET - Array 30V 2,9A 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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NDS9952A-F011

Codice DigiKey
488-NDS9952A-F011TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NDS9952A-F011
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 2,9A 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27nC a 10V, 5nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
320pF a 10V
Potenza - Max
900mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
NDS995
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Obsoleto
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