Name: MBT6429DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MBT6429DW1T1GOSTR-ND
Price: 0.244 EUR
Availability: InStock

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MBT6429DW1T1G
Codice DigiKey	MBT6429DW1T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) MBT6429DW1T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MBT6429DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	MBT6429DW1T1G
Descrizione	TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN (doppio) 45V 200mA 700MHz 150mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MBT6429DW1T1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 500 a 100µA, 5V
Produttore onsemi	Potenza - Max 150mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 700MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor 2 NPN (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 200mA	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 45V	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 600mV a 5mA, 100mA	Codice componente base MBT6429
Corrente - Interruzione collettore (max) 100nA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
HN1C01FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	2 548	HN1C01FU-GRLFCT-ND	€ 0,24000	Simile

In magazzino: 3 962

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,03914	€ 117,42
6 000	€ 0,03504	€ 210,24

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,24400

MBT6429DW1T1G