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Toshiba Semiconductor and Storage
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Canale N 500 V 20 A (Tc) 235W (Tc) Foro passante TO-3P
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IRFP460C

Codice DigiKey
IRFP460C-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
IRFP460C
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 20 A (Tc) 235W (Tc) Foro passante TO-3P
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IRFP460C Modelli
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
240mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
235W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-3P
Contenitore/involucro
TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base
IRFP4
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