Name: HUF76629D3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF76629D3STTR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

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HUF76629D3ST
Codice DigiKey	HUF76629D3STTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HUF76629D3STCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HUF76629D3STDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	HUF76629D3ST
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Serie UltraFET™	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1285 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base HUF76629
RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm a 20A, 10V