Canale N 60 V 12 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 60 V 12 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

HUF76407D3ST

Codice DigiKey
488-HUF76407D3STTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-HUF76407D3STCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-HUF76407D3STDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
HUF76407D3ST
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 12 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
HUF76407D3ST Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
UltraFET
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
92mohm a 13A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
HUF76
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In magazzino: 3 404
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,51000€ 1,51
10€ 0,96000€ 9,60
100€ 0,64180€ 64,18
500€ 0,50556€ 252,78
1 000€ 0,46173€ 461,73
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,38717€ 967,93
5 000€ 0,35976€ 1 798,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,84220