Canale N 55 V 20 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 55 V 20 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

HUF75329D3ST

Codice DigiKey
HUF75329D3STFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
HUF75329D3STFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
HUF75329D3STFSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
HUF75329D3ST
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 20 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
UltraFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
65 nC @ 20 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1060 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
128W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
HUF75329
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In magazzino: 1 049
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,52000€ 1,52
10€ 0,96600€ 9,66
100€ 0,64570€ 64,57
500€ 0,50846€ 254,23
1 000€ 0,46431€ 464,31
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,38928€ 973,20
5 000€ 0,36168€ 1 808,40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,52000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,85440