Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 2.379 EUR
Availability: InStock

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HGTD1N120BNS9A
Codice DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	HGTD1N120BNS9A
Descrizione	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HGTD1N120BNS9A Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Energia di commutazione 70µJ (on), 90µJ (off)
Produttore onsemi	Tipo di ingresso Standard
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate 14 nC
Stato componente Attivo	Td (on/off) a 25°C 15ns/67ns
Tipo di IGBT NPT	Condizione di test 960V, 1A, 82ohm, 15V
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 1200 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 5.3 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 6 A	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vce(on) max a Vge, Ic 2,9V a 15V, 1A	Contenitore del fornitore TO-252AA
Potenza - Max 60 W	Codice componente base HGTD1N120