FQP2N80 onsemi | FET, MOSFET singoli

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STMicroelectronics

In magazzino: 854

Prezzo unitario : € 2,31000

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FQP2N80
Codice DigiKey	FQP2N80-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQP2N80
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 2,4 A (Tc) 85W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQP2
RDSon (max) a Id, Vgs 6,3ohm a 1,2A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STP3NK80Z	STMicroelectronics	854	497-4379-5-ND	€ 2,31000	Simile

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