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Canale N 600 V 4,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 100W (Tc) Foro passante TO-262 (I2PAK)
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FQI5N60CTU

Codice DigiKey
FQI5N60CTU-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
FQI5N60CTU
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 4,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 100W (Tc) Foro passante TO-262 (I2PAK)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
FQI5N60CTU Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
QFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,5ohm a 2,25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
670 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,13W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-262 (I2PAK)
Contenitore/involucro
TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA
Codice componente base
FQI5N60
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