Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

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FQD8P10TM
Codice DigiKey	FQD8P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD8P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD8P10TM
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 6,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 470 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD8P10
RDSon (max) a Id, Vgs 530mohm a 3,3A, 10V