


FQD8P10TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD8P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD8P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQD8P10TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 6,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 530mohm a 3,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 470 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 44W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,65500 | € 6,55 |
| 100 | € 0,43090 | € 43,09 |
| 500 | € 0,33470 | € 167,35 |
| 1 000 | € 0,30374 | € 303,74 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,27020 | € 675,50 |
| 5 000 | € 0,24948 | € 1 247,40 |
| 7 500 | € 0,23892 | € 1 791,90 |
| 12 500 | € 0,22705 | € 2 838,12 |
| 17 500 | € 0,22543 | € 3 945,02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |




