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FQD4P25TM-WS | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD4P25TM-WSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD4P25TM-WS |
Descrizione | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 250 V 3,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 250 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,1ohm a 1,55A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 420 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 45W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
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