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STD1NK60T4
STMicroelectronics
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Prezzo unitario : € 1,35000
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Canale N 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

FQD1N60TF

Codice DigiKey
FQD1N60TF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FQD1N60TF
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
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Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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FQD1N60TF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
QFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
FQD1
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