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FQD19N10LTF è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FQD19N10LTF | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD19N10LTF-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD19N10LTF |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 15,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Modelli EDA/CAD | FQD19N10LTF Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 50W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 7,8A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | 7 659 | NVD6416ANLT4G-VF01OSCT-ND | € 1,54000 | Simile |
| FQD19N10LTM | onsemi | 10 321 | FQD19N10LTMCT-ND | € 1,44000 | Equivalente parametrico |
| AOD2922 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4 413 | 785-1661-1-ND | € 0,85000 | Simile |
| AOD478 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1599-2-ND | € 0,25915 | Simile |
| DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | 6 363 | DMN10H100SK3-13DICT-ND | € 1,16000 | Simile |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
