Name: FQD13N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N10LTMTR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FQD13N10LTM
Codice DigiKey	FQD13N10LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD13N10LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD13N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD13N10LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 520 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 40W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQD13N10
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 5A, 10V