Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 1.8544 EUR
Availability: InStock

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FQD11P06TM
Codice DigiKey	FQD11P06TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD11P06TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD11P06TM
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 9,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQD11P06TM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 38W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQD11P06
RDSon (max) a Id, Vgs 185mohm a 4,7A, 10V