Name: FQB5N90TM
Brand: onsemi
SKU: FQB5N90TMTR-ND
Price: 4.5018 EUR
Availability: InStock

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FQB5N90TM
Codice DigiKey	FQB5N90TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB5N90TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB5N90TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB5N90TM
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 5,4 A (Tc) 3,13W (Ta), 158W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1550 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 158W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 900 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB5N90
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3ohm a 2,7A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFA4N85X	IXYS	236	238-IXFA4N85X-ND	€ 5,46000	Simile
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In magazzino: 573

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,24411	€ 995,29
1 600	€ 1,17293	€ 1 876,69

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,50180

FQB5N90TM