


FQB19N20TM | |
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Codice DigiKey | FQB19N20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB19N20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB19N20TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQB19N20TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 19,4 A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB19N20TM Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,13W (Ta), 140W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 9,7A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRL640SPBF | Vishay Siliconix | 12 | IRL640SPBF-ND | € 3,61000 | Simile |
| SIHF640S-GE3 | Vishay Siliconix | 94 | 742-SIHF640S-GE3-ND | € 2,58000 | Simile |
| STB19NF20 | STMicroelectronics | 7 952 | 497-7941-1-ND | € 1,75000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,72000 | € 2,72 |
| 10 | € 1,76700 | € 17,67 |
| 100 | € 1,22080 | € 122,08 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 0,87365 | € 698,92 |
| 1 600 | € 0,81125 | € 1 298,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,31840 |


