FQA28N15_F109 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQA28N15_F109
Codice DigiKey	FQA28N15_F109-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQA28N15_F109
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 33 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante TO-3PN

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-3P-3, SC-65-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQA2
RDSon (max) a Id, Vgs 90mohm a 16,5A, 10V

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FQA28N15_F109