FFSM0865A onsemi | Diodi singoli

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FFSM0865A
Codice DigiKey	488-FFSM0865ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FFSM0865ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FFSM0865ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FFSM0865A
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 9,6A A montaggio superficiale 4-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Produttore onsemi	Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 463pF a 1V, 100kHz
Stato componente Obsoleto	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore del fornitore 4-PQFN (8x8)
Corrente - Media rettificata (Io) 9,6A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.75 V @ 8 A	Codice componente base FFSM0865
Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)

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In magazzino: 3 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 1,89304	€ 5 679,12

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,92000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,00240

FFSM0865A