FFSB0465A onsemi | Diodi singoli

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FFSB0465A
Codice DigiKey	488-FFSB0465ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FFSB0465ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FFSB0465A
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 7.7A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 7,7A A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Produttore onsemi	Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità a Vr, F 258pF a 1V, 100kHz
Stato componente Obsoleto	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Media rettificata (Io) 7,7A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.75 V @ 4 A	Codice componente base FFSB0465
Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 770

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Questo prodotto non è più in produzione e non sarà nuovamente disponibile a esaurimento scorte.

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,55060

FFSB0465A