FDV303N_NB9U008 onsemi | FET, MOSFET singoli

FDV303N_NB9U008 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

onsemi

In magazzino: 477 520

Prezzo unitario : € 0,27000

Simile

Infineon Technologies

In magazzino: 34 582

Prezzo unitario : € 0,36000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDV303N_NB9U008
Codice DigiKey	FDV303N_NB9U008-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDV303N_NB9U008
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) 8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 680mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,7V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 500mA, 4,5V	Codice componente base FDV30