


FDS9958 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDS9958TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS9958CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS9958DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS9958 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 2,9A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 2,9A, 10V |
Produttore onsemi | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1020pF a 30V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 900mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NP20P06SLG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 7 880 | 559-NP20P06SLG-E1-AYCT-ND | € 2,09000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,50000 | € 1,50 |
| 10 | € 0,95200 | € 9,52 |
| 100 | € 0,63580 | € 63,58 |
| 500 | € 0,50052 | € 250,26 |
| 1 000 | € 0,45697 | € 456,97 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,38303 | € 957,57 |
| 5 000 | € 0,35580 | € 1 779,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,83000 |


