Name: FDS8884
Brand: onsemi
SKU: FDS8884TR-ND
Price: 1.0492 EUR
Availability: InStock

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FDS8884
Codice DigiKey	FDS8884TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS8884CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS8884DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS8884
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 8,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	635 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS88

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Data ultima possibilità d'acquisto: 01.01.2026

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)