FDS8870 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Simile


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 8 772
Prezzo unitario : € 1,38000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 343
Prezzo unitario : € 1,76000
Scheda tecnica

Simile


Texas Instruments
In magazzino: 5 830
Prezzo unitario : € 1,68000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 19 783
Prezzo unitario : € 1,44000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 31 237
Prezzo unitario : € 0,89000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 1 501
Prezzo unitario : € 1,64000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 6 888
Prezzo unitario : € 1,72000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 2,37000
Scheda tecnica

Simile


Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 13 501
Prezzo unitario : € 2,20000
Scheda tecnica

Simile


YAGEO XSEMI
In magazzino: 965
Prezzo unitario : € 0,64000
Scheda tecnica
Canale N 30 V 18 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 30 V 18 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDS8870

Codice DigiKey
FDS8870FSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDS8870FSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
FDS8870
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 18 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4615 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.