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FDS6986AS
onsemi
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MOSFET - Array 30V 5,5 A, 8,5 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
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FDS6984AS

Codice DigiKey
FDS6984ASFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDS6984AS
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5,5 A, 8,5 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,5 A, 8,5 A
RDSon (max) a Id, Vgs
31mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
420pF a 15V
Potenza - Max
900mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
FDS69
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