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FDS6875 | |
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Codice DigiKey | FDS6875TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6875CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6875DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS6875 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 6A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 6A, 4,5V |
Produttore onsemi | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 31nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2250pF a 10V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 900mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMD6P02R2G | onsemi | 0 | NTMD6P02R2GOSCT-ND | € 1,66000 | Simile |


