Name: FDS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6673BZTR-ND
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

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FDS6673BZ
Codice DigiKey	FDS6673BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6673BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS6673BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 14,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 124 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4700 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDS6673
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 14,5A, 10V