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FDS6162N3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDS6162N3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDS6162N3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 21A 8SO |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 21 A (Ta) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO FLMP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDS6162N3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,5mohm a 21A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 73 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5521 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SO FLMP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Italia