Name: FDS4685
Brand: onsemi
SKU: FDS4685TR-ND
Price: 1.098 EUR
Availability: InStock

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FDS4685
Codice DigiKey	FDS4685TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4685CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4685DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS4685
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 8,2 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	27mohm a 8,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1872 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS46

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)